力旺MRAM技術有成 今年收割
嵌入式非揮發性記憶體矽智財（eNVM IP）廠力旺（3529）去年營收23.64億元創下歷史新高，法人看好年度獲利可望賺進1.5個股本。隨著今年晶圓代工廠價格續漲及新產能開出，加上晶圓代工大廠開始加快導入新一代嵌入式磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）及可變電阻式隨機存取記憶體（ReRAM），力旺IP業績大爆發，法人預期今年獲利有望賺進二個股本。
力旺在嵌入式MRAM或ReRAM矽智財市場已有突破性發展，去年與聯電合作完成40奈米嵌入式ReRAM可靠性驗證，並投入22奈米嵌入式MRAM或ReRAM製程IP開發。力旺指出，與傳統eFlash製程相較，嵌入式MRAM或ReRAM可減少光罩層數，更容易進行製程整合，且適用於28奈米以下先進製程，新興嵌入式記憶體可擴展力旺IP產品組合。
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力旺看好車用晶片導入嵌入式MRAM趨勢，因為28奈米以下製程若採用傳統eFlash製程，將導致成本拉高及微縮難度增加等問題，且MRAM有耐高溫優勢，溫度改變不影響磁性，因此許多車用MCU廠已開始轉向採用嵌入式MRAM技術來取代現有的eFlash製程。
在晶圓代工廠積極擴建28奈米產能下，力旺今年將進入全面收割階段，28奈米權利金貢獻將大幅增加至30％以上。
來源鏈接：https://ctee.com.tw/news/tech/590827.html
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Orignal From: 嵌入式非揮發性記憶體矽智財
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